Характеристики
| Производитель |
Samsung |
| Серия |
990 EVO |
| Модель |
MZ-V9E2T0BW |
| Тип оборудования |
SSD для персональных компьютеров |
| Емкость накопителя |
2 Тб |
| Отличительные особенности | |
| Background Garbage Collection |
Поддерживается |
| Технология TurboWrite |
Технология Intelligent TurboWrite |
| Поддержка TRIM |
Есть |
| Шифрование данных |
AES 256 бит |
| Надежность | |
| Ресурс SSD (TBW) |
1200 TBW |
| Ресурс DWPD |
0.33 перезаписи всего объема накопителя в день (DWPD - Drive Writes Per Day) |
| Класс SSD |
Для персональных компьютеров |
| MTBF |
1.5 млн. часов |
| Максимальные перегрузки |
1500G длительностью 0.5 мс |
| Интерфейс подключения к ПК | |
| Поддержка NVMe |
Есть |
| Интерфейс SSD |
M.2 PCI-E Gen5 x2 |
| Пропускная способность интерфейса |
8 ГБ/сек |
| Конфигурация | |
| Контроллер |
Samsung in-house |
| Тип чипов |
3D TLC (Triple Level Cell) |
| Кэш |
2 Гб Low Power DDR4 SDRAM |
| Параметры производительности | |
| Скорость чтения |
до 5000 МБ/сек |
| Скорость записи |
до 4200 МБ/сек |
| Скорость записи 4Кб файлов IOmeter, глубина очереди=32 |
90000 IOPS |
| Формат | |
| Формат накопителя |
M.2 Type 2280 M Key |
| Совместимость | |
| Рабочая температура |
0 ~ 70 °C |
Оставьте отзыв
Заполните обязательные поля *.
К сравнению: 0
Для сравнения не менее 2-х товаров
0